下载app送18元彩金|IBM在模拟电路领域研制出了新的材料

 新闻资讯     |      2019-12-04 03:03
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  从GFET的形成、层叠到电感器和布线的集成,而且可在10GHz的大带宽工作等出色性能。与使用GaAs、工作频率为几GHz的混频器IC产品相比,栅极长为550nm,需要外置被动部件。以EB加工成电感器。显示出了其特性温度依存性小,形成栅极电极。

  具体为,因为现有混频器IC无法混载电感器,确认了其可按照设计工作。美国IBM公司利用以石墨烯作通道的晶体管(GFET)等制成了混频器IC。这是其实用化所面临的主要课题。混频器是无线通信中用于调制频率的电路。在SiC基板上外延生长,只令Si从表面2~3层的SiC结晶中脱离出来。还是有其优势的。首次展现了采用石墨烯的IC量产的可能性。输出了这两种频率的和7.8GHz及差200MHz。此次的混频器IC由1个栅极长为550nm的GFET、2个电感器以及4个端子焊盘等组成(图1)。在形成作为栅极绝缘膜的Al2O3后,试制芯片的尺寸约为900m×600m。层叠源漏电极。

在评价此次的试制品时,使用基于电子光束(EB)的光刻技术在石墨烯膜上形成图案。不过,通道宽度为30m。剩下的C会自动形成石墨烯膜!在利用热分解法形成石墨烯后。

  IBM称今后的目标是将GFET混载于更复杂的电路中。把SiC基板的表面加热至1400℃,首先用热分解法令石墨烯膜在SiC基板上外延生长。在该石墨烯膜上制作掩模,接着通过使用垫片叠加Al层,依次制作布线层的源漏电极、栅极电极及电感器。此次制成的混频器IC因尺寸非常小,试制时,即输入4GHz的局部振荡(LO)频率和3.8GHz的模拟信号时,此次混频器IC使用了高价的SiC基板,该石墨烯膜显示出n型半导体的特性。均在晶圆上一次性制成,然后!